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設(shè)備配件類 一、可控硅晶閘管損壞原因判別： 當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開(kāi)芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。 下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象分析。 1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿； 2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上； 3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上； 4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。從而導(dǎo)致可控硅晶閘管電壓擊穿。 二、中頻電源的過(guò)電流和過(guò)電壓的保護(hù)： 中頻電源裝置的主電路采用晶閘管半導(dǎo)體器件，這類器件承受過(guò)電壓，過(guò)電流的能力很差，而中頻電源的運(yùn)行情況比較復(fù)雜，負(fù)載變化劇烈，出現(xiàn)短路，開(kāi)路，過(guò)電壓，過(guò)電流的幾率較高，必須采取妥善保護(hù)措施，以確保裝置安全運(yùn)行。 晶閘管中頻電源的過(guò)流過(guò)壓保護(hù)，一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件如在工頻電源進(jìn)線側(cè)安裝RC吸收電路，用以抑制由外電路涌入中頻電源的雷擊過(guò)電壓和操作過(guò)電壓，在晶閘管上串接快速熔短器用以保護(hù)過(guò)電流對(duì)晶閘管的損壞，另一種是檢測(cè)中頻電源的輸出電壓和輸入電流，當(dāng)電壓或電流超過(guò)允許值時(shí)借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋工作于有源逆變狀態(tài)，或封鎖整流輸出脈沖使整流橋輸出電壓為零。
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