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一、可控硅晶閘管損壞原因判別：

當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。

下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。

1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿；

2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上；

3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上；

4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。從而導致可控硅晶閘管電壓擊穿。

二、中頻電源的過電流和過電壓的保護：

   中頻電源裝置的主電路采用晶閘管半導體器件，這類器件承受過電壓，過電流的能力很差，而中頻電源的運行情況比較復雜，負載變化劇烈，出現(xiàn)短路，開路，過電壓，過電流的幾率較高，必須采取妥善保護措施，以確保裝置安全運行。

晶閘管中頻電源的過流過壓保護，一種是在適當?shù)牡胤桨惭b保護器件如在工頻電源進線側安裝RC吸收電路，用以抑制由外電路涌入中頻電源的雷擊過電壓和操作過電壓，在晶閘管上串接快速熔短器用以保護過電流對晶閘管的損壞，另一種是檢測中頻電源的輸出電壓和輸入電流，當電壓或電流超過允許值時借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋工作于有源逆變狀態(tài)，或封鎖整流輸出脈沖使整流橋輸出電壓為零。